大陸IC產業 國家意志崛起

回顧2011～2015年資料，中國IC產業年產值增幅保持在10％以上，近2年增長幅度更是維持在20％左右，而製造端從2012年起增速逐步上升，至2015年產值年增率更是來到25％，充分體現中國在IC製造產業發展方面強烈的國家意志。

一、中國IC產業產值

與IC製造業產值

積體電路產業在國家經濟發展和國家安全中占有至關重要的地位，2000年以來，中國政府發表了一系列IC產業重點扶持和發展政策從未間斷，其中「國家積體電路發展推進綱要」提出目標：中國積體電路產業2030年前躋身全球領先陣營，在IC製造領域也提出在2020年實現16／14奈米規模化量產目標。

中國電子資訊產業發展帶動IC晶片需求快速增長，2015年中國IC產品進口額高達2,310億美元，貿易逆差超1,600億美元，進口替代需求極其迫切。2013年6月「稜鏡門」事件爆發，資訊安全已上升至國家安全戰略高度，中國政府一方面開始去「IOE」化（IOE具體說法是以IBM為代表的主機，以為代表的關聯式資料庫，與以EMC為代表的高階儲存設備），另一方面積極扶持中國積體電路產業發展。

從2014年6月24日國務院發表「國家積體電路產業發展推進綱要」至今，中國積體電路產業已取得重大成果，2015年中國積體電路產業營收已達3,610億元人民幣。自2012年起，中國積體電路製造業發展速度已超過積體電路產業整體增長速度，2012～2015年複合增長率接近20％，2015年中國IC製造業銷售額達902億元人民幣。

如前所述，雖然中國半導體市場已躍居全球第1大市場，但整體而言，半導體相關產品的自給率依然偏低，僅為27％左右，未來仍有很大替代空間。

二、IC製造領域重大事件

（一）中國IC製造產業併購案與新廠計畫

為應對IC晶片產品嚴重依賴進口問題，提升中國IC晶片產品自給率，中國代工廠近幾年加快投資擴產步伐，「中國製造2025」明確提出2020年自給率達40％，2025年自給率達70％，由此吸引台積電、聯電與GlobalFoundries等全球同業在中國打造12吋晶圓廠。

伴隨各大12吋晶圓廠陸續進駐中國，各地方政府也表現出急切發展熱情，這也同時給政府帶來難題－如何合理分配優勢資源。

預計長江存儲投資啟動3年左右將是最關鍵和最困難時刻，屆時長江存儲產品能否與對手正面競爭、各方能否在巨額持續投資的重壓下保持戰略定力，這是擺在中國IC產業發展路途上必須邁過的一道門檻。

（二）台積電2016年底量產10奈米製程

目前台積電在先進製程上正一步步趕上英特爾，預計2016年第4季量產10奈米，7奈米則在2018年初進入量產階段，英特爾10奈米將延至2017年第2季，儘管英特爾10奈米在Device和Gate Density都優於台積電的10奈米，但兩者在先進製程的差距正逐漸縮小。

此外，台積電因成功掌握蘋果和聯發科等大客戶，在與三星和英特爾的激烈交鋒中已獲得絕對霸主姿態，預計2017年問世的新款蘋果智慧型手機中，最關鍵的A11處理晶片將全數搭載台積電10奈米製程，並搭配台積電的整合型扇形封裝技術（InFO），屆時10奈米市占率將獨步全球，預計高達70％。

中國方面，中芯國際在過去幾年已顯著縮小與聯電差距，但先進製程發展仍落後台積電和聯電。

三、中國IC製造產業格局

和代表廠商現況

（一） 中國IC製造產業格局

全球12吋晶圓廠產能向中國轉移已成定局，中國現有12吋晶圓廠產能共計42萬片／月，其中包括英特爾（大連）、三星（西安）、SK Hynix（無錫）、中芯國際（北京與上海）與華力微電子。2016～2018年中國新增晶圓廠總產能將高達63.5萬片／月，占全球12吋晶圓廠總產能的比重也會由2016年10％、攀升至2018年22％。中國新增12吋晶圓廠包括聯芯（廈門）、武漢新芯、晉華（晉江）、台積電（南京）、德科瑪（淮安）、晶合（合肥）、兆基科技（合肥）與GlobalFoundries（重慶）等。

事實上，從分布圖中可看到由北向南，中國12吋晶圓廠主要分布在環渤海、中西部、長三角與珠三角四大區域，已呈現遍地開花態勢。

（二）中國IC製造代表廠商現況

2015年全球前10大代工廠中，前4大廠台積電、聯電、三星與GlobalFoundries市占率總和已高達79.6％，其中台積電一騎絕塵，市占率達53％，中國中芯國際和華虹宏力分別以4.5％和1.3％排名第5位和第9位。

作為中國晶圓代工龍頭，中芯國際2016年第1季銷售額達6.34億美元，同比增長24.5％，2015年銷售額創新高達22.36億美元，年增長率為13.5％，已大幅超過聯電，聯電2015年營收增長率為-2.1％，目前中芯國際12吋月產能達6.25萬片，8吋月產能達16.2萬片，折合8吋晶圓產能每月31.5萬片。

中芯國際是中國第1家提供28奈米先進製程的純晶圓代工廠商，採用業界主流技術，包含傳統的多晶矽（PolySiON）和後閘極的高介電常數金屬閘極（HKMG）製程。目前已成功在28奈米製程製程為聯芯的SOC晶片和高通驍龍處理器晶片完成投片，並在2016年6月中芯北京廠成功量產驍龍425，進而鞏固在中國晶圓代工龍頭廠商的地位。

此外，2016年6月中芯國際出資4,900萬歐元收購義大利晶圓代工廠LFoundry 70％股份，憑藉此收購，中芯國際進軍了全球汽車電子市場。然而，中芯國際產能主要集中分布在65奈米以上，其中0.13微米以上低階製程占據中芯國際年營收比較過半，儘管45奈米製程在2015年營收占比較2014年提高5％達16％，但28奈米製程在2015年總營收占比還不足1％，繼續擴充45奈米製程產能，儘快突破28奈米製程實現規模量產和開發16／14奈米技術，是中芯國際目前的重大課題。

上海華虹NEC電子有限公司和上海巨宏半導體製造有限公司新設合併而成，目前在上海張江和金橋共有3條200mm積體電路生產線，產能2016年第2季15.1萬片／月，主要製程節點覆蓋90奈米～1微米，主要打造嵌入式非易失性記憶體、功率器件、邏輯、電源管理、射頻、類比與混合信號等製程平台，其中以智慧卡和MCU應用為主之嵌入式非易失性記憶體製程平台的銷售額比重達該公司年營收的40％。

華虹宏力0.15微米以上製程占總營收60％左右，公司季報顯示：0.13微米以下等先進製程的比率在過去一年一路下滑，由2015年第2季38.4％下降到2016年第2季33.3％。2015年華虹宏力年銷售額為6.5億美元，全球市占僅為1％，隨著12吋廠興起，8吋廠必須走一條差異化競爭的道路，一方面攻占高成長和高附加值產品市場，另一方面要持續投入創新。

四、存儲晶片產業新布局

目前全球存儲晶片製造主要由三星、SK海力士、美光、東芝與英特爾等國際大廠壟斷，在2D-NAND製程製程基本達到極限的情況下，各大廠紛紛開始探索3D-NAND技術，目前三星32層和48層3D V-NAND產品，與美光和英特爾32層3D-NAND產品，於2015年底已正式投放市場，東芝、SanDisk與SK海力士前期在邁入3D-NAND主流廠商的道路上稍顯遲鈍，不過2016年7月東芝和SanDisk同時宣布，已研發出64層3D-NAND flash製程技術，並計畫採用該技術256Gb（32GB）產品在2017上半年進行量產，隨後三星也立即宣布於2016年底量產4GV-NAND（64層）產品。在新興技術領域，各廠商都正處於起跑階段，距離還未完全大幅拉開，這對中國存儲晶片產業發展是有利因素。

中國存儲晶片幾乎完全依賴進口，進口額約占IC晶片總進口額4分之1，儘管中國已有三星、英特爾與SK海力士3大廠設立記憶體晶片製造廠，但都是外資控股，這些廠商對製程技術都嚴格保密，中國工程師很難走到核心技術崗位，這對中國存儲晶片製造業的影響非常有限。

此外，紫光透過購買西數股份曲線收購SanDisk受到美國外國投資委員會（CFIUS）阻撓，最終告吹，這也提醒中國真正核心技術未必能用錢買得到，因此中國存儲晶片發展重點還需放在自主創新和技術引進相結合的方向。

在新建的晶圓廠中，武漢新芯和晉華都集中關注在存儲晶片上，其中武漢新芯和Spansion合作進軍NAND領域，計畫推出3D-NAND產品，拉近與韓國和美國廠商的差距；晉華則攜手聯電，避開競爭激烈的標準型記憶體市場，以利基型記憶體為切入點，打造中國DRAM產業。此外，為進一步整合資源，集中力量發展存儲晶片產業，紫光又聯手武漢新芯並成立長江存儲科技有限公司，趙偉國任董事長，國家積體電路發展基金總經理丁文武任副董事長，至此，中國存儲晶片製造業的大船才剛剛下水。

五、結語

2011年起，中國IC製造業就維持在25％左右高增長率，充分體現中國在IC製造產業發展方面強烈的國家意志，特別是近期各國際知名晶圓廠商紛紛登陸中國，以與當地晶圓廠的技術引進和資源整合動作，中國龐大的市場空間已給各廠商帶來無限遐想，未來能否完成國產替代化的轉變，是中國IC製造業必須面對的難題和重點。

中國12吋晶圓廠數量增多，分散的資源配置將無法實現規模效應，同時這些不具規模優勢的廠商在未來必將引發惡性競爭，最終可能將IC產業發展置於惡劣的營運環境中。未來中國IC製造產業差異化競爭是規避小規

模廠商惡性競爭的重要手段；此外，合理進行資源整合形成規模效應也是未來中國IC製造業發展趨勢。

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